在半导体材料的制备技术不断进步的背景下，武汉高芯科技有限公司近日申请了一项名为“一种金掺杂碲镉汞材料的P型热处理方法”的专利。这一创新不仅是该公司在半导体材料行业中的又一里程碑，也标志着我国在这一领域的技术突破。熟悉半导体行业的人都知道，碲镉汞（CdHgTe）因其在红外探测器及光电器件中的应用而备受关注。而金掺杂的引入将为这一材料的性能大幅提高打开新的可能性。

2025年1月22日消息，在新能源迅猛发展的时代，技术创新成为推动行业转型的关键力量。近日，国家知识产权局公开了横店集团东磁股份有限公司申请的一项新专利，名为“太阳能电池激光掺杂SE图形精度的检测方法和检测设备”。该专利旨在提升太阳能电池片的制造精度，为光伏行业的发展注入新的活力。

黄金掺杂是指在黄金中掺入银或铜等杂质，在业内是某种程度上可以接受的行为，并未违法。不过，上海黄金交易所对黄金的纯度规格有着更为严格 ...

半导体是所有现代电子产品的基础。现在，瑞典林雪平大学的研究人员开发出了一种新方法，在空气作为掺杂剂的帮助下，有机半导体可以变得更加 ...

华为此次公开的掺杂硫化物材料，可望成为硫化物固态电解质在锂离子电池中的理想选择。 其优越的稳定性意味着电池能在更广泛的条件下安全运行 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示山东海化（000822）新获得一项发明专利授权，专利名为“一种Mn掺杂RuO2纳米片状催化剂的制备方法与应用”，专利申请号为CN202411418576.X，授权日为2025年1月24日。

利用固相法在Ni位掺杂了Fe、Ti和Cu元素,经掺杂后制备的材料具有良好的结晶性和相纯度,颗粒尺寸在1~3μm,并具有单晶特性。Fe和Ti掺杂提高了材料放电容量但降低了循环稳定性和放电电压;Cu掺杂 ...

近日，《中国科学材料》杂志在线发表了武汉理工大学周亮教授、赵焱教授的研究成果，该研究团队通过引入氮化钒(VN)来优化NC表面电子结构，发现 ...

本研究采用稀土元素对三元锰铁系层状正极材料进行结构调控,采用快速微波辅助法设计Sm掺杂取代Mn的Na0.67Mn0.58Cu0.1Fe0.3Sm0.02O2,加速钠离子在电化学反应过程中的扩散,提高材料的倍率性能.在1.0 A/g ...

作者实现了一种计算策略，将电子衍射数据集从几个小角度投影耦合到亚纳米深度分辨率的三倍以上，并改善了块状晶体中的掺杂检测。 倾斜耦合多层电子叠层成像技术：突破材料原子结构成像 ...