近日英特尔在ISSCC 2025上，公布了其在半导体制造领域的一些进展，介绍了备受期待的Intel ...

铠侠公布第十代BiCS FLASH闪存技术在最近的ISSCC 2025上，铠侠和闪迪公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D ...

实施 PowerVia 技术是英特尔解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。英特尔采用“环绕阵列”方案，战略性地将 PowerVias 应用于 I/O、控制和解码器元件，同时优化了无正面电源的位单元设计。 实现的 38.1 MBit/mm² ...

近日，TechInsights与SemiWiki联合发布深度报告，引发半导体行业广泛关注。报告对比了英特尔18A工艺（1.8纳米级别）与台积电N2工艺（2纳米级别），揭示了两大技术路线的优劣。据TechInsights数据，台积电N2工艺在晶体管密度 ...

在性能方面，TechInsights认为英特尔的18A将领先于台积电的N2和三星的SF2（以前称为SF3P）。然而，TechInsights使用一种有争议的方法来比较即将推出的节点的性能，因为它使用台积电的N16FF和三星的14nm工艺技术作为基准， ...

在晶体管密度方面，台积电N2工艺以每平方毫米3.13亿的标准单元（HD ...

近日，有韩国媒体报道称，Intel 18A工艺的良品率目前只有区区10％，引发热议。当然，Intel官方公布过这一数据，但其实简单算一算，就能猜出个大概。

英特尔的18A工艺被誉为其最新的技术突破，专为高性能处理器而设计。根据TechInsights的分析，18A在处理能力方面优于台积电的N2工艺，这为英特尔在竞争激烈的市场中争夺高端处理器市场奠定了基础。此外，英特尔在18A中引入的PowerVia背部供电技术，能够有效提升晶体管的性能，提供更高的效率，同时降低功耗。相比之下，台积电的N2工艺虽在晶体管密度方面表现更佳，却无法匹敌18A在性能上的强劲 ...

在晶体管密度方面，台积电N2工艺展现出了显著优势。据研究显示，其高密度标准单元 (HD ...

在半导体工艺技术的竞技场上，英特尔的18A（1.8nm级别）和台积电的N2（2nm级别）如两位选手，分别在性能和晶体管密度上展开了激烈的较量。

近日，Intel在其2024年第四季度的财报电话会议中，向外界透露了其客户端CPU市场的最新进展。据透露，Intel正按计划推进其产品开发，而市场对下一代产品抱有高度期待。 Intel联合首席执行官Michelle Johnston Holthaus在会议上特别提到，公司计划在2025年下半年推出一款名为酷睿Ultra ...