本研究通过共溅射技术调控Li y Ni 1-x-y Mg O中镁含量，发现其带隙可从4.27 eV拓宽至5.44 eV，同时 holes迁移率提升至33.39 cm2/V·s。XPS和XRD证实镁原子取代镍位形成MgO相，并通过陷阱辅助隧穿机制降低开启电压至1.53 V，击穿电压达-1450 V，为β-Ga?O?基器件提供了高性能p型 ...