首先考虑NMOS部分，如果其中一个NMOS门是高电平，输出必须保持低电平。如下图所示。 其次， PMOS部分，如果A为高，B为高，或者A、B均为高时，PMOS部分必须处于关断的状态。而且，如果A和B均为低时，PMOS部分必须为ON的状态。 如下图所示，即满足以上的要求。

在上周周的ISSCC 2021上，六家主要的3D NAND闪存制造商中的四家展示了他们最新的3D NAND技术。其中三星、SK hynix和Kioxia（+ Western Digital）分享了其最新的3D TLC NAND设计，而英特尔则展示了其144层3D QLC NAND。美光公司和长江存储今年没有参加分享。 三星、SK hynix和Kioxia ...