单脉冲雪崩能量简称是EAS，这一参数是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量极限的参数，我们一般在电路设计中拿这个参数来评估MOSFET 的瞬态过压耐受能力，进而来评估器件在异常瞬态过压情况下不会失效，接下来先简单回顾一下什么是雪崩。 当MOSFET的漏极-源 ...

MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是覆盖电压范围最广，下游应用最多的功率器件之一，随汽车电动化开启，电能取代燃油成为汽车驱动的能量来源，汽车能量流发生变化。新能源汽车不再使用汽油发动机、油箱或变速 ...

三菱电机集团于2026年1月14日宣布，将于1月21日正式推出4款全新沟槽栅型SiC-MOSFET裸芯片（未封装芯片）。该系列芯片专为电动汽车（EV）牵引主驱逆变器、车载充电器，以及太阳能发电系统等可再生能源功率系统的功率器件量身打造，可适配各类功率器件封装需求，在保障性能与品质的同时实现显著降耗。

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下： ——SiC ...

答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。22Mednc 国际能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。

在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前，应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开，以便更好地理解系统设计的权衡，以提高效率和可靠性。 高压碳化硅(SiC)MOSFET在许多行业都有多种应用。传统的硅基MOSFET热性能有限 ...