PN结是半导体的基础，掺杂是半导体的灵魂，先明确几点： 1、P型和N型半导体：本征半导体掺杂三价元素，根据高中学的化学键稳定性原理，会有“空穴”容易导电，因此，这里空穴是“多子”即多数载流子，掺杂类型为P(positive)型;同理，掺杂五价元素，电子为 ...

MOSFET的英文全称为“Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor”，中文名称为“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”。它是现代电子学中极为重要的一种半导体器件，被广泛应用于各类电子产品中，从日常使用的手机、电脑，到工业生产里的自动化设备，都能看到。

高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须 ...

金刚石CMOS集成电路发展迈出了一步。 NIMS 的一个研究小组开发出了世界上第一个 n 通道金刚石 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于金刚石的 CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路迈出了重要一步，使其能够在极端环境中使用，并 ...

日本国立材料研究所的研究团队(NIMS)成功开发了世界上第一个金刚石 n型MOSFET，为创建专为极端条件设计的CMOS集成电路和基于 ...

自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）选择的晶体管技术。MOSFET用作主开关晶体管，并用作门控整流器来提高效率。本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET做了比较，以便选择最适合电源应用的开关。 自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数 ...