自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）选择的晶体管技术。MOSFET用作主开关晶体管，并用作门控整流器来提高效率。本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET做了比较，以便选择最适合电源应用的开关。 自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数 ...

日本国立材料研究所的研究团队(NIMS)成功开发了世界上第一个金刚石 n型MOSFET，为创建专为极端条件设计的CMOS集成电路和基于 ...

盖世汽车讯 9月19日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布推出N沟道MOSFET - RF9x120BKFRA / RQ3xxx0BxFRA / RD3x0xxBKHRB - 具有低导通电阻，非常适合各种汽车应用，包括车门和座椅定位电机以及LED大灯。 在汽车领域，随着人们对安全性和便利性要求的提高，电子元件的 ...

高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须 ...

金刚石CMOS集成电路发展迈出了一步。 NIMS 的一个研究小组开发出了世界上第一个 n 通道金刚石 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这一突破标志着实现基于金刚石的 CMOS（互补金属氧化物半导体）集成电路迈出了重要一步，使其能够在极端环境中使用，并 ...

LTC7003 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET，因此非常适合高频开关和静态开关应用。 广告 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.，简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N ...

金刚石（diamond，也译作钻石）在用于下一代电子设备的所有已知半导体中拥有最高的品质因数（figure-of-merits ），表现远远超出了传统半导体硅的性能。为了实现金刚石集成电路，我们需要开发具有n 沟道和 p 沟道导电性的金刚石互补金属氧化物半导体 (CMOS) 器件 ...

MOSFET的英文全称为“Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor”，中文名称为“金属-氧化物-半导体场效应晶体管”。它是现代电子学中极为重要的一种半导体器件，被广泛应用于各类电子产品中，从日常使用的手机、电脑，到工业生产里的自动化设备，都能看到。

前文[ 发现一个奇怪的现象 | BOOST芯片EN引脚并不能关断输出？ ]分享了常规BOOST电路与BUCK电路很大的差异点是：BUCK电路应对过流或短路的方案是可靠的限流或关断（可以关闭输出），但常规BOOST电路的关断仅是PWM停止，传统非同步或同步BOOST拓扑都不能阻止从输入 ...