S'il n'est pas le plus ancien dans l'arbre généalogique des transistors, le « bipolaire », mis au point après le Fet (Field Effect Transistor), appartient tout de même plutôt au passé, davantage à ...

La structure d’un IGBT est basée sur celle d’un MOSFET vertical doublement diffusé [10] : l’épaisseur du support est utilisée pour séparer le drain de la source. Les épaisseurs typiques des wafers ...