随着数据中心、人工智能、高性能计算（HPC）和智能手机存储需求的持续增长，NAND 闪存作为核心存储介质，其容量、性能和可靠性要求不断提升。传统的平面 NAND（Planar NAND）受限于晶体管密度和干扰问题，工艺发展逐渐接近物理极限。为了突破密度瓶颈，3D NAND ...
The 74ABT00 is a quad 2-input NAND gate. This device is fully specified for partial power down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the output, preventing the potentially damaging ...
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