电容： TSV 相当于一个金属-绝缘体-半导体电容器。较高的 TSV 电容会增加延迟、降低噪声容限，并引入串扰到附近的网络中。电容值取决于通孔直径、氧化层厚度和衬底特性。

从用于 MEMS 的大型 TSV 到用于背面供电的 nanoTSV，这些互连的高性价比工艺流程对于提高 2.5D 和 3D 封装的可行性至关重要。 硅通孔 （TSV） 可实现更短的互连长度，从而降低芯片功耗和延迟，从而更快地将信号从一个器件传输到另一个器件或在器件内传输。

TSV，是英文Through-Silicon Via的缩写，即是穿过硅基板的垂直电互连。如果说Wire bonding（引线键合）和Flip-Chip（倒装焊）的Bumping（凸点）提供了芯片对外部的电互连，RDL(再布线)提供了芯片内部水平方向的电互连，那么TSV则提供了硅片内部垂直方向的电互连。