近日英特尔在ISSCC 2025上,公布了其在半导体制造领域的一些进展,介绍了备受期待的Intel ...
实施 PowerVia 技术是英特尔解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。英特尔采用“环绕阵列”方案,战略性地将 PowerVias 应用于 I/O、控制和解码器元件,同时优化了无正面电源的位单元设计。 实现的 38.1 MBit/mm² ...
铠侠公布第十代BiCS FLASH闪存技术在最近的ISSCC 2025上,铠侠和闪迪公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比,新款3D ...
近日,TechInsights与SemiWiki联合发布深度报告,引发半导体行业广泛关注。报告对比了英特尔18A工艺(1.8纳米级别)与台积电N2工艺(2纳米级别),揭示了两大技术路线的优劣。据TechInsights数据,台积电N2工艺在晶体管密度 ...
在性能方面,TechInsights认为英特尔的18A将领先于台积电的N2和三星的SF2(以前称为SF3P)。然而,TechInsights使用一种有争议的方法来比较即将推出的节点的性能,因为它使用台积电的N16FF和三星的14nm工艺技术作为基准, ...
传闻中的移交Intel代工厂的控制权,确实可以为台积电解决这个问题,但伤害了Intel,伤害了美国的领导地位,并为Intel晶圆代工厂不如台积电先进的错误想法提供了可信度。” ...
在晶体管密度方面,台积电N2工艺以每平方毫米3.13亿的标准单元(HD ...
对此,Intel公司硅光子集团首席项目经理Joseph Bonetti感到非常不爽,并在LinkedIn上发文称, Intel将凭借Intel 18A与High-NA EUV重新夺回工艺技术领先地位,其晶圆代工业务也将赢得大客户,而如果将Intel晶圆代工厂的控制权交给台积电,将会是一个可怕的、令人沮丧的错误。
在晶体管密度方面,台积电N2工艺展现出了显著优势。据研究显示,其高密度标准单元 (HD ...
英特尔的18A工艺被誉为其最新的技术突破,专为高性能处理器而设计。根据TechInsights的分析,18A在处理能力方面优于台积电的N2工艺,这为英特尔在竞争激烈的市场中争夺高端处理器市场奠定了基础。此外,英特尔在18A中引入的PowerVia背部供电技术,能够有效提升晶体管的性能,提供更高的效率,同时降低功耗。相比之下,台积电的N2工艺虽在晶体管密度方面表现更佳,却无法匹敌18A在性能上的强劲 ...
近日,Intel在其2024年第四季度的财报电话会议中,向外界透露了其客户端CPU市场的最新进展。据透露,Intel正按计划推进其产品开发,而市场对下一代产品抱有高度期待。 Intel联合首席执行官Michelle Johnston Holthaus在会议上特别提到,公司计划在2025年下半年推出一款名为酷睿Ultra ...