英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A 工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA) 晶体管相结合，是英特尔节点的核心。该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的 0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm ...

由于Intel 18A是英特尔针对高性能处理器而设计的，因此可以根据性能和功率效率进行定制。英特尔还在Intel 18A引入了PowerVia背部供电技术，大大提升了晶体管密度和性能，N2没有类似的设计，要等到A16才会加入超级电轨（Super ...

还有其他几点需要注意。英特尔的18A计划于2025年中进入量产，届时英特尔将开始生产其Core Ultra 3系列“Panther ...

在半导体行业的最新动态中，台积电的2纳米技术与Intel的18A工艺之间的较量正引发科技界的强烈关注。根据最近由TechInsights和SemiWiki披露的研究报告，两种尖端工艺各具优劣，分别在晶体管密度和性能上展现出不同的优势。

近期，TechInsights和SemiWiki对英特尔18A与台积电N2工艺进行了深度评估，引发了行业广泛关注。这场2nm制程竞赛不仅关乎技术实力，更折射出全球半导体产业的未来格局。

TechInsights 的分析显示，台积电 N2 工艺的高密度 (HD) 标准单元晶体管密度达到了 313 MTr / mm^2，远超 Intel 18A (238 MTr / mm^2) 和三星 SF2 / SF3P (231 MTr / ...

这几年英特尔对于制程的研发似乎遇到了瓶颈，给人的感觉就是心有余而力不足，在制程选择上也是大规模采用台积电的制程工艺，不过现在英特尔似乎想要把宝押在Intel 18A工艺，称这个工艺将会超过友商，成为目前最出色的工艺，而搭载Intel ...

在性能方面，TechInsights认为英特尔的18A将领先于台积电的N2和三星的SF2（以前称为SF3P）。然而，TechInsights使用一种有争议的方法来比较即将推出的节点的性能，因为它使用台积电的N16FF和三星的14nm工艺技术作为基准， ...

英特尔的18A工艺被誉为其最新的技术突破，专为高性能处理器而设计。根据TechInsights的分析，18A在处理能力方面优于台积电的N2工艺，这为英特尔在竞争激烈的市场中争夺高端处理器市场奠定了基础。此外，英特尔在18A中引入的PowerVia背部供电技术，能够有效提升晶体管的性能，提供更高的效率，同时降低功耗。相比之下，台积电的N2工艺虽在晶体管密度方面表现更佳，却无法匹敌18A在性能上的强劲 ...

快科技2月16日消息，Intel已经官方宣布，将在今年晚些时候发布新一代移动处理器 Panther Lake ，首次采用Intel 18A工艺，如无意外将隶属于酷睿Ultra 300系列。

传闻中的移交Intel代工厂的控制权，确实可以为台积电解决这个问题，但伤害了Intel，伤害了美国的领导地位，并为Intel晶圆代工厂不如台积电先进的错误想法提供了可信度。” ...

近期，半导体领域的两大巨头台积电与英特尔的工艺技术再次成为业界关注的焦点。TechInsights与SemiWiki两大研究机构发布了关于台积电N2 2nm工艺与英特尔18A 1.8nm工艺的详细对比，揭示了两者在不同方面的独特优势。