在CES2022上，Anker宣布了下一代Nano II USB-C氮化镓充电器家住，眼前这款100W USB-C正式其中一款，国外定价79美元，也就是要超过500元人民币，不要嫌贵，亚马逊刚开卖就售罄了。 Anker Nano II使用了Anker第二代氮化镓组件，以取代充电器中部分硅组件，从而获得更小的 ...

Anker公司在2022年CES上发布了一款新的氮化镓充电器，即79美元的Anker Nano II 100W（也被称为Anker 736充电器），该公司称这是 "世界上最小的100W氮化镓壁式充电器"。 新的Nano II 100W充电器提供一对USB-C端口和一个USB-A端口，它使用Anker的第二代GaN II技术，该公司今年早些 ...

原标题：小身材大功率：Anker推出Nano II系列USB-C氮化镓充电器 来源：cnBeta.COM Anker 刚刚推出了 Nano II 系列氮化镓（GaN）USB-C 充电器新品，在小巧外形的基础上，它还提供了 30W、45W 和 65W 三档功率的版本。在充电器内部，Anker 表示 Nano II 系列 USB-C 氮化镓充电器改进 ...

Das Anker Nano II 100W Ladegerät mit 2x USB-C und 1x USB-A wird für 69,99 Euro (Amazon-Link) jetzt auch in Weiß angeboten. Vorbestellungen werden entgegengenommen. Anker 100W USB C Ladegerät, 736 ...

Das neue Anker 736 Netzteil (Amazon-Link), auch als Anker Nano II betitelt, kann drei angeschlossene Geräte gleichzeitig aufladen und bietet dafür 2x USB-C und 1x USB-A. Insgesamt gibt es 100 Watt, ...

Anker stellt heute in einem Launch-Event gleich drei neue und leistungsfähige Ladegeräte der Serie Anker Nano II vor, die auf der weiterentwickelten GaN-II-Technologie basieren. Die brandfrischen Nano ...

Mit der Nano-II-Ladegeräteserie führt Anker eine neue USB-Netzteil-Serie mit GaN-II-Technologie ein, die im Vergleich zur ersten Generation nicht nur mehr Leistung auf kompakterem Raum bringt, sondern ...

Ein leistungsstarkes USB-C-Netzteil kann im Alltag viele einzelne Ladegeräte ersetzen – und damit viel Platz, Zeit (und vielleicht auch Nerven) sparen. Statt für jedes Gerät ein eigenes Netzteil ...

Hersteller von Netzteilen gibt es einige. Gerne gesehen sind natürlich welche die: nicht die Welt kosten, sicher sind, gängige Ladestandards unterstützen und das Zielgerät in möglichst kurzer Zeit ...

Anker verkauft mit dem Nano ein eigenes Netzteil, welches für möglichst viele Standards zum schnellen Laden optimiert und möglichst kompakt gestaltet ist. Nun steht mit dem Anker Nano II die zweite ...

Bei seinen neuen Schnellladern setzt Anker erstmals auf die GaN-II-Technologie. Die optimiert die anno 2018 eingeführte Methode, Silizium im Chip durch Galliumnitrid (GaN) zu ersetzen. Da sich GaN ...