Abstract: This study presents high-performance field-effect transistors (FETs) using atomic layer deposition (ALD)-derived Sn-doped oxide semiconductors for back-end-of-line (BEOL)-compatible ...
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果