Abstract: This paper presents the novel area-efficient and optimized hybrid XOR and XNOR gates designed using four MOSFETs (two NMOS and two PMOS transistors) and ...

Abstract: We experimentally confirmed that the steep subthreshold slope (SS) device “PN body-tied silicon-on-insulator (SOI) field-effect transistor” can reduce the short-circuit current of a ...

1月27日，电科芯片涨停，报24.78元。 上证报中国证券网讯（记者 李雁争）1月27日，电科芯片涨停，报24.78元。 电科芯片1月21日在互动平台回答投资者提问时表示，公司专注于高可靠性功率驱动类产品研发，其中2V-40V/0.5A-10A系列的直流有刷电机驱动芯片、基于三相无刷电机的PMOS+NMOS功率管驱动芯片、40V/250V的栅极驱动芯片可应用于部分机器人产品。返回搜狐，查看更多 平 ...

MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热 ...

绿联近期也推出了一款65W三合一移动电源。从定位来看，65W 这个功率段兼顾了手机快充与轻薄本的补电需求，而且这类一体化产品往往需要在体积、散热、效率、安全之间做更加精细的平衡。因此，这款绿联 65W 三合一移动电源的内部架构与用料设计就很有看点。

PDK生成流程的第一步是定义BEOL堆叠结构。这包括金属层数和过孔层数、导体和介质材料，以及适用于该技术节点的金属和过孔几何形状。 定义好BEOL堆叠结构后，即可对每一层的电气特性进行仿真，并将仿真结果写入BEOL寄生参数文件。Synopsys ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示思瑞浦（688536）新获得一项发明专利授权，专利名为“浮轨电路、半桥驱动电路及驱动方法”，专利申请号为CN202211658432.2，授权日为2026年1月30日。