Abstract: In this study, a novel triple-gate nanosheet reconfigurable field-effect transistor (RFET) featuring an embedded SiGe layer conformally surrounding the silicon channel (ESCRFET) beneath the ...
一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果一些您可能无法访问的结果已被隐去。
显示无法访问的结果