SiC天生需要更高驱动电压来降低内阻，只有达到足够的正向电压（如20-30V），才能彻底激活导电沟道，释放其低损耗的终极性能。 第二关：负压关断「防误触」 在电压变化速率高达 100kV/μs 的极端工况下，SiC 若缺乏-2V~-5V 的反向偏压「刹车力」，米勒效应可能 ...