康奈尔大学的研究人员开发出一种新型晶体管架构，该技术有望重塑高功率无线电子产品的设计范式，同时能缓解关键半导体材料的供应链风险。这种名为XHEMT的器件在氮化铝单晶衬底上生长了超薄氮化镓层。氮化铝作为超宽禁带半导体材料，具有缺陷密度低、耐高压高温、可减少电能损耗等优异特性。