据介绍，这些技术将从 400 层的 NAND 闪存技术开始应用，而且他还提到，“键合技术可用于（在 NAND 区域）实现 1000 多层（堆叠）”。 IT之家注：晶圆键合是指分别制造外围晶圆和单元晶圆，然后将它们键合在一起形成单个半导体。 宋部长当天还公开展示了 1000 ...

据韩国媒体ZDNet Korea 2月24日报道称，三星电子近期已与中国存储芯片厂商长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需的“混合键合”（Hybrid Bonding ...

IT之家2 月 24 日消息，随着存储行业的激烈竞争，推动 NAND 技术不断进步，一个令人惊讶的消息出现了： 据韩媒 ZDNet 今日报道，三星可能将使用中国长江存储的混合键合专利，从其 V10（第 10 代）NAND 开始。 报道称，三星计划于 2025 年下半年开始大规模生产其 V10 ...

与目前第8代的218层产品相比， 新一代3D闪存实现了33%的NAND接口速度提升，达到4.8Gb/s。 当前，3D NAND技术正在迅速发展，多家厂商正在加速推进300层以上的堆叠技术。 2月20日，日本铠侠控股（Kioxia Holdings）宣布，与闪迪联合开发的第10代BiCS 3D NAND闪存，无论堆叠 ...

全球NOR闪存和NAND闪存市场在2024年的规模达到 亿元人民币，中国市场规模为 亿元。预计到2030年，全球NOR闪存和NAND闪存市场规模将升至 亿元，年复合增长率估计为 %。 从产品类型方面，NOR闪存和NAND闪存分为串行, 并行。在应用领域方面，NOR闪存和NAND闪存行业 ...