近日英特尔在ISSCC 2025上，公布了其在半导体制造领域的一些进展，介绍了备受期待的Intel ...

铠侠公布第十代BiCS FLASH闪存技术在最近的ISSCC 2025上，铠侠和闪迪公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D ...

实施 PowerVia 技术是英特尔解决处理器逻辑区域电压下降和干扰的首选方法。英特尔采用“环绕阵列”方案，战略性地将 PowerVias 应用于 I/O、控制和解码器元件，同时优化了无正面电源的位单元设计。 实现的 38.1 MBit/mm² ...

在晶体管密度方面，台积电N2工艺以每平方毫米3.13亿的标准单元（HD ...

TechInsights发布了英特尔（Intel）和台积电（TSMC）在国际电子器件会议（IEDM）上披露的关于其即将推出的18A（1.8纳米级）和N2（2纳米级）工艺技术的关键细节。据TechInsights称，英特尔的18A可能提供更高的性能，而 ...

近期，TechInsights和SemiWiki对英特尔18A与台积电N2工艺进行了深度评估，引发了行业广泛关注。这场2nm制程竞赛不仅关乎技术实力，更折射出全球半导体产业的未来格局。

郭广昌：关于AI，未来特别看好两个方向,郭广昌,复星,复星医药,私有化 ...

在半导体行业的最新动态中，台积电的2纳米技术与Intel的18A工艺之间的较量正引发科技界的强烈关注。根据最近由TechInsights和SemiWiki披露的研究报告，两种尖端工艺各具优劣，分别在晶体管密度和性能上展现出不同的优势。

快科技2月14日消息，半导体研究机构TechInsights、SemiWiki公布了台积电N2 2nm级别、Intel 18A 1.8nm级别两大尖端工艺的诸多细节，并进行了正面对比，发现各有优势。

英特尔的18A工艺被誉为其最新的技术突破，专为高性能处理器而设计。根据TechInsights的分析，18A在处理能力方面优于台积电的N2工艺，这为英特尔在竞争激烈的市场中争夺高端处理器市场奠定了基础。此外，英特尔在18A中引入的PowerVia背部供电技术，能够有效提升晶体管的性能，提供更高的效率，同时降低功耗。相比之下，台积电的N2工艺虽在晶体管密度方面表现更佳，却无法匹敌18A在性能上的强劲 ...

近期，半导体领域的两大巨头台积电与英特尔的工艺技术再次成为业界关注的焦点。TechInsights与SemiWiki两大研究机构发布了关于台积电N2 2nm工艺与英特尔18A 1.8nm工艺的详细对比，揭示了两者在不同方面的独特优势。