2025年是场效应晶体管（FET）诞生100周年。晶体管于1947年12月由贝尔实验室，更准确地说是贝尔电话实验室（BTL）发明。2022-2023年，我们仍然对晶体管诞生75周年的纪念活动记忆犹新。然而，场效应晶体管诞生100周年意味着它的发明时间早于晶体管。这究竟意味着 ...

MoS?场效应晶体管在0.3–271 K温度范围内表现出显著的亚阈值漏电流变化，高电压下呈现变程跳跃机制，低电压下转为热激活机制，阈值电压漂移率达110 mV/K，并观测到并行导电路径，揭示二维材料在极低温下的新物理现象，为量子电子学器件设计提供重要参考。

这样就达到了降低转速的效果，如果需要增加转速，则将输入PWM的占空比设置为100%，电流方向如下图中箭头路径所示。 这里以电机从正转切换到停止状态为例。 正转时Q1和Q4是打开状态，这时候如果关闭Q1和Q4，直流电机内部可以等效成电感，也就是感性负载 ...

MOS FET继电器是一款主要用于信号开闭、连接的无接点的机械式继电器（舌簧继电器）。兼具机械式继电器和半导体的特性，用于半导体检查装置或各种测量设备、安全设备以及其他各大领域的应用，指通过LED与MOS FET芯片的组合实现了继电器功能的半导体继电器。

台积电预计在 2025 年下半年左右启动使用其 N2 工艺技术的 HVM，该技术采用环栅 (GAA) 纳米片晶体管。台积电的第二代2纳米级工艺技术 - N2P - 将增加背面功率传输。该技术将于2026年实现量产。 投资金额逾兆元的台积电一纳米建厂计划，拟在嘉义县太保市的科学 ...

机械式继电器、MOS FET继电器分别具有不同的特长。 基于对MOS FET继电器所具小型及长寿命、静音动作等优势的需求，目前已经出现了所用机械式继电器向MOS FET继电器转化的趋势。 但是，由于机械式继电器与MOS FET继电器在产品结构上完全不同，所以设计时需注意 ...

功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到源极的电压VGS为零时，功率MOSFET需要作为常“开”开关运行。在VGS=0V时作为常 "开 "开关的功率MOSFET，称为耗尽型 ...

日前，英特尔在IEDM上展示多项与半导体制造技术相关的研究成果：3D封装技术的新进展，可将密度再提升10倍；超越RibbonFET，用于2D晶体管微缩的新材料，包括仅三个原子厚的超薄材料；能效和存储的新可能，以实现更高性能的计算；量子计算的新进展。

极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件,其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。 晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块 ...

H桥是一个比较简单的电路，通常它会包含四个独立控制的开关元器件（例如MOS-FET）,它们通常用于驱动电流较大的负载，比如电机，至于为什么要叫H桥（H-Bridge），因为长得比较像字母H，具体如下图所示； 实际使用的时候，用分立元件制作H桥是很麻烦的，市面 ...